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HyperscriptMaWi 2© H. Föll Inhaltsmatrix |
Hyperscripts of AMAT: Allgemeine Information Index |
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Diese Matrix definiert die wesentlichen Komponenten des Hyperskripts. Sie ist gegliedert in die drei Ebenen | |
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Basisbegriffe (basics) | |
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Lernstoff (Hauptebene) | |
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weiterführende Beiträge (advanced) | |
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Die Hauptebene mit dem Lernstoff ist weiter untergliedert in 4 vertikale Stränge und die horizontalen Kapitel die sich an der Struktur eines normalen Textbuches orientieren. Die Stränge "Rückgrat 1" und "Rückgrat 2" bilden den harten Kern des Lernstoffs; die Stränge "Illustrationen" und "Übungen" helfen, den Lernstoff zu verstehen und ihn auf reale Fragen und Probleme anzuwenden. | |
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In den Zellen der Inhaltsmatrix, die durch Ebene, Strang und Kapitelnummer eindeutig definiert sind, befinden sich die einzelnen numerierten Module oder Seiten des Hyperskripts. Diese sind gekennzeichet durch einen Kurznamen und entsprechen z.B. einem Unterkapitel in den Rückgratsträngen oder einem Einzelbild bei Illustrationen usw. | |
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Der Strang "Rückgrat I" kann, in eigenem Interesse oder nach Maßgabe des Dozenten, ergänzt werden durch ausgewählte Unterkapitel des "Rückgrat 2". | |
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Bedeutung der Fonts | |
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Blau: Modul ist komplett oder fast vollständig. | |
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Rot: Modul ist angelegt, aber noch leer oder unvollständig. | |
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Grün: Modul enthält Spezialitäten wie JAVA Module, XML Formeln oder Animationen. | |
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Violett:
Modul ist fertig, aber in Englisch! |
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Rosa: Zusammenfassungen und Merkpunkte | |
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Hellgrün: Multiple Choice Tests | |
Metafiles |
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|---|---|---|---|---|---|
| Inhalt | Vorwort | MaWi I Hyperskript | Laufendes Sem. | Biographien | |
| Basisbegriffe | Rückgrat I | Rückgrat II | Illustrationen | Übungen | Advanced |
1. Einleitung |
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| 1.1 Elektronisch bedingte Eigenschaften | |||||
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r1_1_1 Allgemeine Bemerkungen; |
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| 1.2 Elektronische Eigenschaften und Werkstoffgruppen | |||||
| r1_2_1 Übersicht r1_2_2 Wärmeleitfähigkeit r1_2_3 Magnetismus r1_2_4 Dielektrische Eigenschaften |
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2. Elektronen in Festkörpern |
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| 2.1 Klassische Betrachtung | |||||
| t2_1_1 Temperatur und Geschwindigkeit t2_1_2 Grundsätze QT |
r2_1_1 s=q·n·m r2_1_2 Ohms Law and Classical Physics r2_1_3 Hall Effect r2_1_4 Zusammenfassung 2.1 r2_1_5 Merkpunkte 2.1 |
i2_1_1 Tabelle s, n, µ r2_1_1 Alte deutsche Version I r2_7_1 Alte deutsche Version II t2_1_1 Beweglichkeit und Diffusion |
e2_1_1 Numbers µ s2_1_1 Lösung zu e2_1_1 e2_1_2 Numbers v0, t, l s2_1_2 Lösung zu e2_1_2 e2_1_3 Transistor speed s2_1_3 Lösung zu e2_1_3 c2_1_1 Multiple choice c2_1_2 Multiple choice c2_1_3 Multiple choice |
m2_1_1 Averages t2_1_1 Phononen t2_1_2 Hall Effekt Messungen t2_1_3 Beweglichkeit und Mikroelektronik t2_1_4 Beweglichkeit und Diff'koeffizient |
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| 2.2 Das freie Elektronengas | |||||
| r2_2_1 Einleitung r2_2_2 Freies Elektronengas r2_2_3 Zustandsdichte r2_2_4 Zusammenfassung 2.2 r2_2_5 Merkpunkte 2.2 |
e2_2_1 Verifikation s2_2_1 Lösung zu e2_2_1 e2_2_2 Fermienergie s2_2_2 Lösung zu e2_2_1 c2_2_1 Multiple choice c2_2_2 Multiple choice c2_2_3 Multiple choice |
m2_2_1 Zeitabhängige S.-Gleichung t2_2_1 D(E) alternativ |
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| 2.3 Besetzungswahrscheinlichkeit und Fermi-Statistik | |||||
| r2_3_1 Problemstellung r2_3_2 Herleitung r2_3_3 Eigenschaften r2_3_4 Zusammenfassung 2.3 r2_3_5 Merkpunkte 2.3 |
e2_3_1 Eigenschaften f(E) s2_3_1 Lösung zu e2_3_1 c2_3_1 Multiple choice c2_3_2 Multiple choice |
t2_3_1 Zustandsdichte und Boltzmannverteilung |
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| 2.4 Anwendungen | |||||
| r2_4_1 Wärmekapazität r2_4_1 Leitfähigkeit r2_4_3 Zusammenfassung 2.4 r2_4_4 Merkpunkte 2.4 |
t2_4_1 Dulong-Petit und Debye t2_4_2 Vergleich im Phasenraum |
e2_4_1 Defekte u. Geometrie s2_4_1 Lösung zu e2_4_1 c2_4_1 Multiple choice c2_4_2 Multiple choice |
t2_4_1 Addition von Widerständen |
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| 2.5 Wellen | |||||
| r2_5_1 Math. Beschreibung r2_5_2 Wellenarten |
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| Merkpunkte Kapitel 2 r2_6_1 |
c2_6_1
Alle Multiple choice |
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3. Struktur von Kristallen |
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| 3.1 Grundbegriffe | |||||
| r3_1_1 Kristall: Wiederholung |
c3_1_1 Multiple choice |
t3_1_1 TEM |
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| 3.2 Beugung von Wellen in Kristallen | |||||
| r3_2_1 "Materiewellen" r3_2_2 Bragg Gesetz r3_2_3 Zusammenfassung 3.2 r3_2_4 Merkpunkte |
t3_2_1 Vektor-Bragg |
c3_2_1 Multiple choice c3_2_2 Multiple choice |
t3_2_1 Welle ist Welle... |
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| 3.3 Reziprokes Gitter | |||||
| r3_3_1 Definition und Eigenschaften r3_3_2 Ewald Konstruktion r3_3_3 Zusammenfassung 3.3 r3_3_4 Merkpunkte 3.3 |
e3_3_1 Eigenschaften rez. Gitter s3_3_1 Lösung zu e3_3_1 e3_3_2 Rez. Gitter einfacher Bravaisgitter s3_3_2 Lösung zu e3_3_1 c3_3_1 Multiple choice |
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| 3.4 Der Strukturfaktor | |||||
| t3_4_1 Wellen und Phasen |
r3_4_1 Strukturfaktor r3_4_2 Auslöschungsregeln r3_4_3 Zusammenfassung 3.4 r3_4_4 Merkpunkte 3.4 |
e3_4_1 Auslöschungsregeln s3_4_1 Lösung zu e3_4_1 c3_4_1 Multiple choice |
t3_4_1 Bragg-Bedingung t3_4_2 Theorie und Praxis |
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| 3.5 Experimentelle Methoden der Kristallstrukturanalyse | |||||
| r3_5_1 Beugungsverfahren; r3_5_3 Zusammenfassung 3.5 r3_5_4 Merkpunkte 3.5 |
r3_5_2 TEM |
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| Merkpunkte Kapitel 3 r3_6_1 |
c3_6_1
Alle Multiple choice |
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4. Periodisches Potential und Bänder |
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| 4.1 Erweiterung des Modells der freien Elektronen durch das periodische Gitterpotential | |||||
| r4_1_1 Freies e-Gas und Beugung r4_1_2 Brillouin Zonen r4_1_3 Zusammenfassung 4.1 r4_1_4 Merkpunkte 4.1 |
j4_1_2 Kronig-Penney |
e4_1_1 Aufenthaltswahrscheinlichkeit s4_1_1 Lösung zu e4_1_1 c4_1_1 Multiple choice c4_1_2 Multiple choice |
t4_1_1 Bloch Theorem t4_1_2 Kronig-Penney |
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| 4.2 Banddiagramme | |||||
| r4_2_1 Banddiagramme + Zustandsdichten r4_2_2 Banddiagramme + Materialklassen r4_2_3 Zusammenfassung 4.2 r4_2_4 Merkpunkte 4.2 |
t4_2_1 Bandentwicklung Si |
c4_2_1 Multiple choice c4_2_2 Multiple choice |
t4_2_1 Dreckeffekte |
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| 4.3 Band-Band Übergänge | |||||
| t4_3_1 Exponentieller Zerfall |
r4_3_1 Reduziertes Bandschema r4_3_2 Direkte + indirekte Halbleiter r4_3_3 Zusammenfassung 4.3 r4_3_4 Merkpunkte 4.3 |
p4_3_1 Brittney p4_3_2 Physics and Sex j4_3_1 k - G Äquivalenz |
c4_3_1 Multiple choice c4_3_2 Multiple choice |
t4_3_1 Teilchen- und Wellenbild t4_3_2 Energie u. Impuls |
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| Merkpunkte Kapitel 4 r4_4_1 |
c4_4_1
Alle Multiple choice |
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5. Halbleiter |
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| 5.1 Eigenleitfähigkeit | |||||
| r5_1_1 Ladungsträgerdichten intrinsisch r5_1_2 EF und eff. Zustandsdichte r5_1_3 Stromleitung im Bändermodell r5_1_4 Zusammenfassung 5.1 r5_1_5 Merkpunkte 5.1 |
t5_1_1 Ladungsträgerdichte t5_1_2 Bandverbiegung Kondensator |
c5_1_1 Multiple choice c5_1_2 Multiple choice c5_1_3 Multiple choice |
t5_1_1 Materialien als Dielektrika t5_1_2 Löcher |
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| 5.2 Dotierung | |||||
| r5_2_1 Dotierung r5_2_2 Konzentration mit Dotierung r5_2_3 Fermienergie quantitativ r5_2_4 Ladungsträgerdichten dotiert r5_2_5 Zusammenfassung 5.2 r5_2_6 Merkpunkte 5.2 |
t5_2_1 Störstellenniveaus j5_2_1 Fermienergie und Konzentrationen t5_2_2 Ferminiveau und Donatorbesetzung t5_2_3 Herleitung Formel t5_2_4 Ladungsdichte graphisch |
c5_2_1 Multiple choice c5_2_2 Multiple choice c5_2_3 Multiple choice c5_2_4 Multiple choice e5_2_1 Fermienergie dotiert s5_2_1 Lösung zu e5_2_1 |
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| 5.3 Vom idealen zum realen Halbleiter | |||||
| r5_3_1 Beweglichkeit, Leitfähigkeit real r5_3_2 Generation, Rekombination r5_3_3 Zusammenfassung 5.3 r5_3_4 Merkpunkte 5.3 |
c5_3_1 Multiple choice c5_3_2 Multiple choice |
t5_3_1 Beweglichkeit |
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| 5.4 Übersicht | |||||
| r5_4_1 Vergleich r5_4_2 Formeln / Daten Überblick |
t5_4_1 Halbleitermaterialien |
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| Merkpunkte Kapitel 5 r5_5_1 |
c5_5_1
Alle Multiple choice |
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6. Halbleiterkontakte und Bauelemente |
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| 6.1 Bandverbiegung und Raumladungszone | |||||
| r6_1_1 Grundsätzliches r6_1_2 Kontakt O - V r6_1_3 Bandverbiegung, RLZ r6_1_4 Zusammenfassung 6.1 r6_1_5 Merkpunkte 6.1 |
t6_1_1 Fermienenergie und O-Zustände |
e6_1_1 Lösung Poisson s6_1_1 Lösung zu e6_1_1 c6_1_1 Multiple choice test c6_1_2 Multiple choice test c6_1_3 Multiple choice test |
t6_1_1 Wafer bonding t6_1_2 Bandverbiegung - FAQ t6_1_3 Feynman Algorithmus |
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| 6.2 p-n-Übergang | |||||
| 6_2_1 Grundsätzliches 6_2_2 Ströme im GG 6_2_3 Ideale Diode 6_2_4 Reale Diode r6_2_5 Zusammenfassung 6.2 r6_2_6 Merkpunkte 6.2 |
t6_2_2 Breite RLZ |
c6_2_1 Multiple choice test c6_2_2 Multiple choice test c6_2_3 Multiple choice test c6_2_4 Multiple choice test |
t6_2_1 Gleichheit R und G t6_2_2 Vorfaktorinterpretation t6_2_3 J. Bardeen |
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| 6.3 Halbleiter-Metallkontakt | |||||
| r6_3_1 Bandstruktur; Akkumulation r6_3_2 Ohmsche und Schottky-Kontakte r6_3_3 Zusammenfassung 6.3 r6_3_4 Merkpunkte 6.3 |
e6_3_1 p-Typ HL s6_3_1 Lösung zu e6_3_1 c6_3_1 Multiple choice test c6_3_2 Multiple choice test |
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| 6.4 Einfache Bauelemente | |||||
| r6_4_1 Solarzellen r6_4_2 Bipolar Transistor r6_4_3 MOS Transistor r6_4_4 Zusammenfassung 6.4 r6_4_5 Merkpunkte 6.4 |
t6_4_1 Sonnenspektrum t6_4_2 Realer bipolar Transistor t6_4_3 Solarzellen |
e6_4_1 Solarenergie quantitativ s6_4_1 Lösung zu e6_4_1 c6_4_1 Multiple choice test c6_4_2 Multiple choice test c6_4_3 Multiple choice test |
t6_4_1 CELLO t6_4_2 MOS quantitativ |
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| Merkpunkte Kapitel 6 r6_5_1 |
c6_5_1
Alle Multiple choice |
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| Basisbegriffe | Rückgrat I | Rückgrat II | Illustrationen | Übungen | Advanced |
| Module Count (finished modules only) | |||||
| 3 | 87 | 3 | 24 | 71 | 27 |
| Grand Total: 215 | |||||