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Hyperscript

MaWi 2

© H. Föll

Inhaltsmatrix

Hyperscripts of AMAT:
Allgemeine Information

Index

Inhaltsmatrix - Grundsätzliches zur Struktur

Diese Matrix definiert die wesentlichen Komponenten des Hyperskripts. Sie ist gegliedert in die drei Ebenen
Basisbegriffe (basics)
Lernstoff (Hauptebene)
weiterführende Beiträge (advanced)
Die Hauptebene mit dem Lernstoff ist weiter untergliedert in 4 vertikale Stränge und die horizontalen Kapitel die sich an der Struktur eines normalen Textbuches orientieren. Die Stränge "Rückgrat 1" und "Rückgrat 2" bilden den harten Kern des Lernstoffs; die Stränge "Illustrationen" und "Übungen" helfen, den Lernstoff zu verstehen und ihn auf reale Fragen und Probleme anzuwenden.
In den Zellen der Inhaltsmatrix, die durch Ebene, Strang und Kapitelnummer eindeutig definiert sind, befinden sich die einzelnen numerierten Module oder Seiten des Hyperskripts. Diese sind gekennzeichet durch einen Kurznamen und entsprechen z.B. einem Unterkapitel in den Rückgratsträngen oder einem Einzelbild bei Illustrationen usw.
Der Strang "Rückgrat I" kann, in eigenem Interesse oder nach Maßgabe des Dozenten, ergänzt werden durch ausgewählte Unterkapitel des "Rückgrat 2".

Bedeutung der Fonts
Blau: Modul ist komplett oder fast vollständig.
Rot: Modul ist angelegt, aber noch leer oder unvollständig.
Grün: Modul enthält Spezialitäten wie JAVA Module, XML Formeln oder Animationen.
Violett: Modul ist fertig, aber in Englisch!
Rosa: Zusammenfassungen und Merkpunkte
Hellgrün: Multiple Choice Tests

 

Metafiles

  Inhalt Vorwort MaWi I Hyperskript Laufendes Sem. Biographien
 
Basisbegriffe Rückgrat I Rückgrat II Illustrationen Übungen Advanced

1. Einleitung

1.1 Elektronisch bedingte Eigenschaften

r1_1_1
Allgemeine Bemerkungen;




1.2 Elektronische Eigenschaften und Werkstoffgruppen

r1_2_1
Übersicht
r1_2_2
Wärmeleitfähigkeit
r1_2_3
Magnetismus
r1_2_4
Dielektrische Eigenschaften
 


2. Elektronen in Festkörpern

2.1 Klassische Betrachtung
t2_1_1
Temperatur und Geschwindigkeit
t2_1_2
Grundsätze QT
r2_1_1
s = q·n·m
r2_1_2
Ohms Law and Classical Physics
r2_1_3
Hall Effect
r2_1_4
Zusammenfassung 2.1
r2_1_5
Merkpunkte 2.1

i2_1_1
Tabelle s, n, µ
r2_1_1
Alte deutsche Version I
r2_7_1
Alte deutsche Version II
t2_1_1
Beweglichkeit und Diffusion
e2_1_1
Numbers µ
s2_1_1
Lösung zu e2_1_1
e2_1_2
Numbers v0, t, l
s2_1_2
Lösung zu e2_1_2
e2_1_3
Transistor speed
s2_1_3
Lösung zu e2_1_3
c2_1_1
Multiple choice
c2_1_2
Multiple choice
c2_1_3
Multiple choice
m2_1_1
Averages
t2_1_1
Phononen
t2_1_2
Hall Effekt Messungen
t2_1_3
Beweglichkeit und Mikroelektronik
t2_1_4
Beweglichkeit und Diff'koeffizient
2.2 Das freie Elektronengas

r2_2_1
Einleitung
r2_2_2
Freies Elektronengas
r2_2_3
Zustandsdichte
r2_2_4
Zusammenfassung 2.2
r2_2_5
Merkpunkte 2.2


e2_2_1
Verifikation
s2_2_1
Lösung zu e2_2_1
e2_2_2
Fermienergie
s2_2_2
Lösung zu e2_2_1
c2_2_1
Multiple choice
c2_2_2
Multiple choice
c2_2_3
Multiple choice
m2_2_1
Zeitabhängige S.-Gleichung
t2_2_1
D(E) alternativ
2.3 Besetzungswahrscheinlichkeit und Fermi-Statistik

r2_3_1
Problemstellung
r2_3_2
Herleitung
r2_3_3
Eigenschaften
r2_3_4
Zusammenfassung 2.3
r2_3_5
Merkpunkte 2.3


e2_3_1
Eigenschaften f(E)
s2_3_1
Lösung zu e2_3_1
c2_3_1
Multiple choice
c2_3_2
Multiple choice
t2_3_1
Zustandsdichte und Boltzmannverteilung
2.4 Anwendungen

r2_4_1
Wärmekapazität
r2_4_1
Leitfähigkeit
r2_4_3
Zusammenfassung 2.4
r2_4_4
Merkpunkte 2.4

t2_4_1
Dulong-Petit und Debye
t2_4_2
Vergleich im Phasenraum
e2_4_1
Defekte u. Geometrie
s2_4_1
Lösung zu e2_4_1
c2_4_1
Multiple choice
c2_4_2
Multiple choice
t2_4_1
Addition von Widerständen
2.5 Wellen
 
r2_5_1
Math. Beschreibung
r2_5_2
Wellenarten



  Merkpunkte Kapitel 2
r2_6_1
c2_6_1
Multiple choice
 

3. Struktur von Kristallen

3.1 Grundbegriffe
  r3_1_1
Kristall: Wiederholung


c3_1_1
Multiple choice
t3_1_1
TEM
3.2 Beugung von Wellen in Kristallen
  r3_2_1
"Materiewellen"
r3_2_2
Bragg Gesetz
r3_2_3
Zusammenfassung 3.2
r3_2_4
Merkpunkte

t3_2_1
Vektor-Bragg
c3_2_1
Multiple choice
c3_2_2
Multiple choice

t3_2_1
Welle ist Welle...
3.3 Reziprokes Gitter

r3_3_1
Definition und Eigenschaften
r3_3_2
Ewald Konstruktion
r3_3_3
Zusammenfassung 3.3
r3_3_4
Merkpunkte 3.3


e3_3_1
Eigenschaften rez. Gitter
s3_3_1
Lösung zu e3_3_1
e3_3_2
Rez. Gitter einfacher Bravaisgitter
s3_3_2
Lösung zu e3_3_1
c3_3_1
Multiple choice

3.4 Der Strukturfaktor
t3_4_1
Wellen und Phasen
r3_4_1
Strukturfaktor
r3_4_2
Auslöschungsregeln
r3_4_3
Zusammenfassung 3.4
r3_4_4
Merkpunkte 3.4


e3_4_1
Auslöschungsregeln
s3_4_1
Lösung zu e3_4_1
c3_4_1
Multiple choice
t3_4_1
Bragg-Bedingung
t3_4_2
Theorie und Praxis
3.5 Experimentelle Methoden der Kristallstrukturanalyse

r3_5_1
Beugungsverfahren;
r3_5_3
Zusammenfassung 3.5
r3_5_2
TEM



4. Periodisches Potential und Bänder

4.1 Erweiterung des Modells der freien Elektronen durch das periodische Gitterpotential
  r4_1_1
Freies e-Gas und Beugung
r4_1_2
Brillouin Zonen
r4_1_3
Zusammenfassung 4.1
r4_1_4
Merkpunkte 4.1

j4_1_2
Kronig-Penney
e4_1_1
Aufenthaltswahrscheinlichkeit
s4_1_1
Lösung zu e4_1_1
c4_1_1
Multiple choice
c4_1_2
Multiple choice
t4_1_1
Bloch Theorem
t4_1_2
Kronig-Penney
4.2 Banddiagramme

r4_2_1
Banddiagramme + Zustandsdichten
r4_2_2
Banddiagramme + Materialklassen
r4_2_3
Zusammenfassung 4.2
r4_2_4
Merkpunkte 4.2

t4_2_1
Bandentwicklung Si
c4_2_1
Multiple choice
c4_2_2
Multiple choice
t4_2_1
Dreckeffekte
4.3 Band-Band Übergänge
t4_3_1
Exponentieller Zerfall
r4_3_1
Reduziertes Bandschema
r4_3_2
Direkte + indirekte Halbleiter
r4_3_3
Zusammenfassung 4.3
r4_3_4
Merkpunkte 4.3

p4_3_1
Brittney
p4_3_2
Physics and Sex
j4_3_1
k - G Äquivalenz
c4_3_1
Multiple choice
c4_3_2
Multiple choice
t4_3_1
Teilchen- und Wellenbild
t4_3_2
Energie u. Impuls

5. Halbleiter

5.1 Eigenleitfähigkeit
  r5_1_1
Ladungsträgerdichten intrinsisch
r5_1_2
EF und eff. Zustandsdichte
r5_1_3
Stromleitung im Bändermodell
r5_1_4
Zusammenfassung 5.1
r5_1_5
Merkpunkte 5.1

t5_1_1
Ladungsträgerdichte
t5_1_2
Bandverbiegung Kondensator
c5_1_1
Multiple choice
c5_1_2
Multiple choice
c5_1_3
Multiple choice
t5_1_1
Materialien als Dielektrika
t5_1_2
Löcher
5.2 Dotierung

r5_2_1
Dotierung
r5_2_2
Konzentration mit
Dotierung
r5_2_3
Fermienergie quantitativ
r5_2_4
Ladungsträgerdichten dotiert
r5_2_5
Zusammenfassung 5.2
r5_2_6
Merkpunkte 5.2

t5_2_1
Störstellenniveaus
j5_2_1
Fermienergie und Konzentrationen
t5_2_2
Ferminiveau und Donatorbesetzung
t5_2_3
Herleitung Formel
t5_2_4
Ladungsdichte graphisch
c5_2_1
Multiple choice
c5_2_2
Multiple choice
c5_2_3
Multiple choice
c5_2_4
Multiple choice
e5_2_1
Fermienergie dotiert
s5_2_1
Lösung zu e5_2_1

5.3 Vom idealen zum realen Halbleiter

r5_3_1
Beweglichkeit, Leitfähigkeit real
r5_3_2
Generation, Rekombination
r5_3_3
Zusammenfassung 5.3
r5_3_4
Merkpunkte 5.3


c5_3_1
Multiple choice
c5_3_2
Multiple choice
t5_3_1
Beweglichkeit
5.4 Übersicht

r5_4_1
Vergleich
r5_4_2
Formeln / Daten Überblick

t5_4_1
Halbleitermaterialien


6. Halbleiterkontakte und Bauelemente

6.1 Bandverbiegung und Raumladungszone

r6_1_1
Grundsätzliches
r6_1_2
Kontakt O - V
r6_1_3
Bandverbiegung, RLZ
r6_1_4
Zusammenfassung 6.1
r6_1_5
Merkpunkte 6.1

t6_1_1
Fermienenergie und O-Zustände
e6_1_1
Lösung Poisson
s6_1_1
Lösung zu e6_1_1
c6_1_1
Multiple choice test
c6_1_2
Multiple choice test
c6_1_3
Multiple choice test
t6_1_1
Wafer bonding
t6_1_2
Bandverbiegung - FAQ
t6_1_3
Feynman Algorithmus
6.2 p-n-Übergang

6_2_1
Grundsätzliches
6_2_2
Ströme im GG
6_2_3
Ideale Diode
6_2_4
Reale Diode
r6_2_5
Zusammenfassung 6.2
r6_2_6
Merkpunkte 6.2

t6_2_2
Breite RLZ
e6_2_1
Diodenkennlinie
s6_2_1
Lösung zu e6_2_1
e6_2_2
Kennlinie mit RLZ
s6_2_1
Lösung zu e6_2_2
e6_2_3
RLZ
s6_2_3
Lösung zu e6_2_3
c6_2_1
Multiple choice test
c6_2_2
Multiple choice test
c6_2_3
Multiple choice test
c6_2_4
Multiple choice test
t6_2_1
Gleichheit R und G
t6_2_2
Vorfaktorinterpretation
t6_2_3
J. Bardeen
6.3 Halbleiter-Metallkontakt

r6_3_1
Bandstruktur; Akkumulation
r6_3_2
Ohmsche und Schottky-Kontakte
r6_3_3
Zusammenfassung 6.3
r6_3_4
Merkpunkte 6.3


e6_3_1
p-Typ HL
s6_3_1
Lösung zu e6_3_1
c6_3_1
Multiple choice test
c6_3_2
Multiple choice test

6.4 Einfache Bauelemente

r6_4_1
Solarzellen
r6_4_2
Bipolar Transistor
r6_4_3
MOS Transistor
r6_4_4
Zusammenfassung 6.4
r6_4_5
Merkpunkte 6.4

t6_4_1
Sonnenspektrum
t6_4_2
Realer bipolar Transistor
t6_4_3
Solarzellen
e6_4_1
Solarenergie quantitativ
s6_4_1
Lösung zu e6_4_1
c6_4_1
Multiple choice test
c6_4_2
Multiple choice test
c6_4_3
Multiple choice test
t6_4_1
CELLO
t6_4_2
MOS quantitativ

Basisbegriffe Rückgrat I Rückgrat II Illustrationen Übungen Advanced
 
Module Count (finished modules only)  
3 87 3 24 71 27
Grand Total: 215