Störstellenniveaus in Halbleitern

Die Diagramme zeigen (relativ alte und nicht immer vertrauenswürdige) Daten über die Lage von Störstellenniveaus in der Bandlücke von Ge, Si und GaAs.

Ob es sich um Donator- oder Akzeptorniveaus handelt, entnimmt man der Eintragung des Elements im Leitungs- bzw. Valenzband

Manche Störstellen haben mehr als ein Niveau, z.B. weil sie zwei Elektronen abgeben können, oder weil sie amphoter sind, d.h. als Donator oder Akzeptor wirken können. Im letzteren Fall ist das entsprechende Niveau mit einen "D" oder "A" zusätzlich gekennzeichnet.

Zunächst die beiden indirekten Halbleiter Si und Ge.

Am Rande ist anzumerken, daß Germanium zwar in Textbüchern und Gesamtaufstellungen noch sehr prominent vertreten ist, aber heute (2002) in der Praxis überhaupt keine Rolle mehr spielt (von winzigen Spezialmärkten einmal abgesehen). Nur mit Mühe (und verhältnismäßig viel Geld) gelingt es überhaupt noch, ein Stück Ge zu erhalten. Die Anfänge der Halbleitertechnologie in den 50er Jahren des letzten Jahrhunderts waren aber vom Ge geprägt.

Hier ist GaAs, das "Leitfossil" der sogenannten III-V Halbleiter

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