6.4.5 Merkpunkte Kapitel 6.4

Solarzelle = großflächiger pn-Kontakt
Füllfaktor einer Solarzelle Kennlinie mit wesentlichen Parametern
  • Leerlaufspannung
  • Kurzschlußstrom
  • Füllfaktor
  • Arbeitspunkt
Lichtabsorption produziert zusätzliche Minoritäten; fließen ab als Photostrom falls sie bis zur RLZ diffundieren können.
Damit große Diffusionlsänge erforderlich.
Wirkungsgrad begrenzt durch
  • Nicht absorbierte Photonen (Zahl steigt mit zunehmendem EG)
  • Verlorene Überschußenergie Photon (Wird größer mit abnehmendem EG
Optimales EG » 1,5 eV mit hmax » 30 %
Si Solarzellen: hmax » 25 %; htech » 15 %.
     
Bipolar Transistor
Bipolar Transistor mit Banddiagramm und Stromlaufbild
npn- oder pnp-Struktur mit dünner Basis.  
Die Emitter-Basisdiode wird in Vorwärtsrichtung betrieben und injiziert die Majoritätsladungsträger des Emitters in die Basis.  
Dort diffundieren diese Ladungsträger bis zum Kollektor, wo sie durch das elektrische Feld der in Rückwärtsrichtung gepolten Basis-Kollektordiode "abgesaugt" werden  
Damit Stromverstärkung möglich mit  
   
b  =   IK
IB
 =   NA(E)
ND(B)
 
 
MOS Transistor
MOS Transistor
Prinzip: Schaffung eines Kanals unter dem Gate mit derselben Ladungsträgerart wie Source/Drain.  
Dazu nötig: Inversion: Reduzierung der Majoritätsladungsträgerkonzentration durch elektrostatische "Abstoßung" direkt unter dem Gate bis (durch Massenwirkungsgesetz) die Minoritätsladungsträger überwiegen.  
Schwellspannung (Threshold Voltage): Notwendige Spannung zur Erreichung der Inversion; einstellbar durch Technologieparameter (insbesondere Dicke des Gate Dielektrikums).  

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© H. Föll (MaWi 2 Skript)