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Was genau ist die Frage? Als
ET&IT Studis wollen wir in erster Linie wissen, wie sich die
Elektronen der Halbleiterkristalle auf die Energiebänder verteilen, die
wir immer bekommen wenn wir aus einzelnen Atomen einen Kristall machen. |
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Dazu sollte man sich vielleicht nochmal das
betreffende Potentialbild anschauen. |
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Als Einstieg in die Thematik
betrachten wir ein Modellsystem mit konstanter Zustandsdichte. Wir geben 10
Plätze pro eV über den ganzen Energiebereich vor (d.h.
D = 10 eV1 (wir schenken uns das m
3 in der Dimension). In dieses System stecken wir
90 Elektronen. Wir könnten auch D = 1011
eV1 und 1012 Elektronen (oder jede
beliebige ander sinnvolle Kombination) nehmen, aber das muss dann jemand anders
zeichnen. |
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Also immer wieder: Prinzipzeichnungen nicht mit
der "Realität" verwechseln! |
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Wir schau'n dann mal, was bei T = 0
K und T > 0 K in unserem System passieren muss. |
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In jedem Zustand,
gekennzeichnet durch eine Energie E, kann man also maximal
10 Elektronen unterbringen. In Diagramm entspricht ein Platz für ein Elektron damit einem Kästchen. |
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Die Verteilung der
Elektronen auf die Zustände bei T = 0 K ist klar. |
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Wir müssen für ein
Minimum der freien Energie
G jetzt nur die Energie minimieren, da in G = E
TS der Entropieterm = 0 ist. Das machen wir, indem wir
erst mal alle Plätze bei der niedrigsten Energie besetzen, dann alle
Plätze bei der zweitniedrigsten Energie, usw, bis wir alle 90
Elektronen energiegünstig untergebracht haben - so wie oben links gezeigt.
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Bei irgendeiner Energie sitzt das "letzte"
Elektron. Dieser Energie geben wir einen Namen, sie heißt ab sofort
Fermienergie
EF.
Auch das kam schon mal
vor. Per definitionem sind bei T = 0 K alle Zustände bis zur
Fermienergie besetzt; danach ist alles leer. |
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Für ein gegebenes
System (d.h. wir kennen die Zustandsdichte und die Zahl der
Teilchen, z. B. ein Stück Si Kristall, liegt die Fermienergie damit
fest, man kann sie als einen Materialparameter
betrachten. |
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Jetzt schauen wir uns mal an, wie
ordentlich oder unordentlich wir die Elektronen verteilt haben. |
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Insgesamt gibt es offenbar genau eine Möglichkeit, alle 90 Elektronen
unterhalb der Fermienergie unterzubringen. |
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Wir haben also größtmögliche
Ordnung erzeugt, da wir nur einen
Mikrozustand
haben, um die gewünschte Anordung mit minimaler Energie zu realisieren.
Das ist gleichbedeutend mit einem Zustand minimaler Entropie. Bei T =
0 K ist das ja auch "in Ordnung". |
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Jetzt machen wir mal das gleiche
Spielchen bei einer endlichen Temperatur
T1. Dann müssen wir aber etwas Unordnung
erzeugen, um zum Minimum der freien Energie zu gelangen - bei möglichst
minimaler Energieerhöhung. |
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Dazu müssen wir aus einem besetzten
Energieniveau einige Elektronen herausnehmen und ungern, aber notgedrungen, auf
bisher unbesetzte Niveaus bei höheren
Energien unterbringen. Das schafft Unordnung, denn wir haben jetzt mehr als
eine Möglichkeit um z. B. 8 bzw. 2 Elektronen auf den
verfügbaren 10 Plätzen unterzubringen. |
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Es ist klar, daß wir das
bei den höchsten besetzten Energieniveaus
machen, und die freigesetzten Elektronen auf die niedrigsten unbesetzten Niveaus bringen - das
minmiert den Energie"preis" für die Transaktion. Qualitativ wird
das so aussehen wie mit der roten Kurve gezeigt -
wir haben insgesamt vier Elektronen umgeordnet. |
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Die orange Kurve
zeigt das ganze bei noch höherer höherer Temperatur und deshalb mit
noch mehr Unordnung. Offenbar muss die Einhüllkurve (= unsere gesuchte
Verteilungsfunktion) mit steigender Temperatur immer "weicher"
werden. |
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Dass wir jetzt zunehmend Unordnung erzeugen ist
auch klar. Die Elektronen um die Fermienergie herum sind nicht mehr ordentlich
aufgeräumt, je weicher die Einhüllkurve = Verteilungsfunktion um die
Fermieenergie herum wird, desto mehr Unordnung wird erzeugt. |
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Das war's dann auch schon. Die im
Bild oben gezeigten rote / orange Kurven stellen ganz offensichtlich die
gesuchte Verteilungsfunktion dar. Diese Verteilungsfunktion nennen wir
Fermi-Dirac Verteilung oder in
Kurzform schlicht Fermi-Verteilung |
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Wir haben aber ein kleines
Problem, erkennbar wenn wir das Bild rechts betrachten: Bei T = 0
K ist die Fermiverteilung unstetig; sie macht einen Sprung von w(E <
EF) = 1 auf w(E >
EF) = 0. Bei höheren Temperaturen macht sie den
Übergang stetig wie gezeigt. |
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Welche mathematische Funktion
w(E; EF, T) kann das leisten?
Wiederum ist die echte Variable die Energie E;
EF und T sind Systemparameter. Noch
genauer gesagt ist eigentlich E
EF die Variable, denn es kommt immer nur dieser
Ausdruck vor. |
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Ein bißchen komplizierter als die
Boltzmannverteilung muss die Fermiverteilung wohl sein. Da sie fundamental ist
bezeichnen wir sie auch nicht mehr mit w(E;
EF, T), sondern mit f(E;
EF, T). Aber genug des Vorspiels: die
Fermiverteilung ist wie folgt definiert: |
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f(E;
EF, T) =
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1
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| exp |
æ
è |
E
EF
kT |
ö
ø |
+ 1 |
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Keine beliebig einfache Funktion, aber die
einfachste, die das tut was nötig ist!
Man muss diese Formel nicht unbedingt auswendig können, man muss sie aber
auf jeden Fall qualitativ zeichnen können! |
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Wir machen das ganze nicht zum Spass:
Fermiverteilung und Fermienergie sind fundamental für Halbleiterbauelemente, wir
werden uns deshalb die Eigenschaften der Fermiverteilung in nächsten
Unterkapitel auch noch etwas genauer anschauen. |
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Hier sind die schnellen Fragen |
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© H. Föll (MaWi für ET&T - Script)