 | Das Bild zeigt die Si-Oberfläche im Ultrahochvakuum, nach
verhergehender Entfernung der dünnen, an Luft immer vorhandenen Oxidschicht. Ultrahochvakuum (UHV) ist
nötig, damit die Probe nicht sofort wieder oxidiert. Einige ins Auge fallende Besonderheiten sind: |
|  | Die Atome sind deutlich als rotumrandete (künstlich eingefärbte) Kreise sichtbar. Das
Rastertunnelmikroskop (abgekürzt STM, nach der englischen Bezeichnung "scanning tunneling microscope") hat die höchste Auflösung aller
Mikroskope und kann Atome auf den Oberflächen (elektrisch leitender) Körper ohne weiteres sichtbar
machen. |
| | Die Oberfläche hat
keine Ähnlichkeit mit einer {111} Ebene des Diamantgitters. Die Atome
der Oberfläche (und die Lage darunter) haben sich rearrangiert um ihre freien
Bindungen gegenseitig bestmöglichst abzusättigen. Die zweidimensionale Elementarzelle des
Oberflächengitters ist ziemlich kompliziert mit einer Gitterkonstante die 7 mal größer ist als
die Gitterkonstante des Si Volumengitters. Man spricht deshalb auch von der 7 x 7 Struktur der
{111} Oberfläche. |
| | Der 7 x 7
Oberflächenkristall enthält seinerseits Defekte, insbesondere sind Leerstellen gut zu erkennen. |
| | Außerdem ist noch ein Sauerstoffatom an ein
Oberflächen Si-Atom gebunden. Da es 6 äquivalente Positionen einnehmen kann, zwischen denen es
schnell hin-und-herspringt, sieht das STM nur einen Mittelwert - es resultiert ein verschmiertes Sechseck (mal
danach suchen). |
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 | | Courtesy of
Omicron |
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| | I would love to give due credit to the
people who took that magnificent picture, unfortunately I have no idea who they are - this picture just floats
around. |
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© H. Föll (MaWi 1 Skript)
Mit Frame
2.1.1 Ausgangspunkt