Lösung zur Übung 9.1-2

Bestimme die Ladungsträgerdichte als Funktion der Temperatur bei dotierten Halbleitern

Hier ist eine (bekannte) Variante der gewünschten Kurve

Ladungsträgerdichte in Si als Funktion de Temperatur

Zu diskutieren gibt's nicht viel außer, dass die Zahl der Elektronen, die vom Doterniveau und vom Valenzband ins Leitungsband geschickt werden, schlicht durch die jeweilige Energiebarriere gegeben ist; beide Prozess sind unabhängig.

Was jedoch vom Valenzband "kommt" ist bei "tiefen" T veranchlässigbar gegenüber dem Dotierniveau.

Das Dotierniveau ist jedoch bei höheren Temperaturen irgendwann "erschöpft" - mehr Elektronen als Dotieratome kann es nicht bereitstellen.

Damit ist die Gesamtkurve klar: Man folgt der jeweils dominierenden der drei Kurven, mit sanftem Übergäng zur nächsten.

Mit Frame

Übung 9.1-2 Bestimme die Ladungsträgerdichte als Funktion der Temperatur bei dotierten Halbleitern