Abbild eines Versetzungsknäuels in Silizium durch Transmissionselektronenmikroskopie (TEM)

Wir blicken direkt durch einen Silizium Kristall bei ca. 20.000-facher Vergrößerung. In dem betrachteten Gebiet befindet sich (unsichtbar) der Emitter eines Transistors einer integrierten Schaltung.
Die schwarzen Linien sind alle Versetzungen; sie bilden ein dichtes Knäuel (man muß sich das dreidimensional vorstellen)
Das weiße "Quadrat" in der Mitte des Knäuels ist die Ursache für die Versetzungen: Dort wurde das Si mechanisch verletzt (durch zu hartes Aufsetzen einer Testspitze).
Die schwarze "Doppelsichel" ist ein dadurch entstandener Mikroriß. Bei der Bearbeitung des Siliziums bei hohen Temperaturen diente dieser Mikroriß als Versetzungsquelle; unser ehemals versetzungfreies Si hat jetzt lokal eine hohe Versetzungsdichte (Wie hoch etwa?). Es erübrigt sich, zu erwähnen, daß der Transistor, und damit die ganze integrierte Schaltung, natürlich nicht mehr funktioniert.
Versetzungsknäuel

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© H. Föll (MaWi 1 Skript)