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Wir betrachten ein eindimensionales
Problem: Ein Stück Si hat bei x = 0 auf der
Oberfläche ein konstante und unerschöpfliche Konzentration
c0 an Arsenatomen. |
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Damit haben wir eine Rand- und
Anfangsbedingung gegeben. |
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Die Arsenatome (oder Phosphor-,
Boratome) diffundieren im Laufe der Zeit ins Silizium; wir können
vermuten, dass sich Konzentrationsprofile wie gezeichnet einstellen
werden. |
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Wer will liest nicht weiter und schaut mal
wieweit sie bei der Berechnung der
Diffusionprofile kommt - das Problem ist zusammen mit dem 2. Fickschen
Gesetz eindeutig gegeben und lösbar. |
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Der Rest zeigt, dass der folgende
Ausdruck die gesuchte Lösung ist: |
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| c(x, t) = (c¥
c0) · |
æ
ç
è |
erf |
æ
ç
è |
x
2(D · t)1/2 |
ö
÷
ø |
+ c0 |
ö
÷
ø |
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Der Ausdruck "erf " steht dabei für "Errorfunction" oder Gaussche
Fehlerfunktion; eine tabellierte
Funktion mit folgender Definition: |
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| erf (x) = |
2
p1/2 |
· |
x
ó
õ
0 |
exp x' 2 · dx' |
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Daß bei der Lösung der
Diffusionsgleichungen, wie die
Fickschen Gesetze auch genannt werden, typische Funktionen der Statistik
auftreten, ist eigentlich für uns nicht überraschend, denn wir haben
schließlich rein statistische Bewegungen der Teilchen als
Grundprozeß. |
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Dass die Differentialgleichungen der Fickschen
Gesetze dann doch nicht so ganz einfach zu lösen sind - that's life! |
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Hier noch ein paar nützliche
Hinweise: |
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© H. Föll (MaWi für ET&T - Script)