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Die ET&IT braucht
Materialien mit betimmten, oft sehr präzise definierten Eigenschaften,
z.B. Silizium. |
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Daraus macht sie (oder sonstwer)
Bauelemente wie simple Widerstände oder hochkomplexe Chips. Das
"Machen" impliziert eine Folge von Prozeßschritten, und damit dass an den
Materialien etwas geändert wird. Das
heißt schlicht und ergreifend, dass nicht mehr alle Atome exakt da sind
wo sie vorher waren. |
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Ein moderner Chip entsteht z. B. indem ein
Ausgangsstück Si (der Wafer) durch mehr als 500
Prozeßschritte läuft; bei jedem Prozeßschritt (im einfachsten
Fall z. B. "Heißmachen") hat sich im Si oder im Chip
etwas geändert und damit muß siuch auch im atomaren Maßstab
etwas geänder haben. |
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Es gilt nun die einfache Regel: |
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- Kristalldefekte bestimmen viele wichtige Eigenschaften.
- Kristalldefekte kann man durch "Prozessieren" leichter
manipulieren als den Kristall
- Viele Eigenschaften werden durch Manipulation der Defekte eingestellt.
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Zum Thema "Eigenschaften"
ist es nützlich, zwischen defektunabhängigen und defektabhängigen Eigenschaften zu
unterscheiden |
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Die ersteren - die defektunabhängigen Eigenschaften - kennen wir
schon. Das sind all die Eigenschaften, die sich schon ziemlich komplett aus dem
Bindungspotential ergeben. Das waren Eigenschaften wie Schmelzpunkt,
Elastizitätsmodul, thermischer Ausdehnungskoeffizient, Schwingungsfrequenz
um die Gleichgewichtslage, und maximale Bruchdehnung. |
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Es ist vom Prinzip her völlig klar, dass
Defekte - z.B. ein bißchen Verunreinigung - diese Eigenschaften in der
Regel allenfalls ein bißchen beeinflussen kann. Wir haben aber auch schon
gesehen, dass z.B. die Bruchfestigkeit der "Theorie" nicht so gut
folgt, und postuliert, dass hier Defekte eine Rolle spielen. |
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Defektabhängige Eigenschaften werden wir hier
etwas näher untersuchen. Sie sind aus zwei Gründen extrem wichtig |
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Erstens:
Defektabhängige Eigenschaften können wir manipulieren,
defektunabhängige Eigenschaften nicht. Heißmachen
("Tempern") eines Materials wird den E-Modul nicht
permanent ändern können, wohl aber z.B. die Leitfähigkeit oder
die mechanische Härte. Prozessieren heißt i.d.R. dass wir Defekten
manipulieren. |
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Zweitens:
Defektabhängige Eigenschaften sind häufig die für das Produkt
wichtigen Eigenschaften. Das Paradebeispiel ist die Leitfähigkeit der
Halbleiter (oder die Härte von Stahl). |
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Was Defekte im Kristall,
Kristalldefekte, oder schlicht Defekte im
Allgemeinen sind sagt schon der Name. Was sie im Speziellen sind, müssen
wir uns näher anschauen. |
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Man kann sich einen Kristalldefekt leicht vorstellen: Wir machen uns
ganz klein, setzen uns auf einen Gitterpunkt, und schauen in die Gegend. In
einem perfekten Kristall sehen wir dann die anderen Gitterpunkte der
unmittelbaren Nachbarschaft, und wir sehen auch die diversen Atome der Basis an
den durch Gitter und Basis präzise vorgegeben Positionen. Wenn alles exakt
so ist wie es sein sollte (wir ignorieren die Schwingungen der Atome um ihre
Gleichgewichtslage und eventuelle elastische Verzerrungen), dann ist an unserem
Sitzplatz oder direkt daneben kein
Kristalldefekt. |
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Wenn etwas "nicht stimmt", oder genauer
gesagt, die für den Kristall typische Symmetrie lokal gestört ist,
dann sitzen wir auf oder direkt neben einem Kristalldefekt. |
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Es ist eine gute Idee
Kristalldefekte nach ihre
"Größe" oder besser
Dimensionalität
einzuteilen. Das sieht dann so aus: |
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Nulldimensionale
Defekte
(auch "Punktdefekte" "Punktfehler", "atomare Defekte" genannt) |
Defekt hat kleinstmögliche Ausdehnung =
"Null", d.h.atomare Dimensionen.
Wir haben
- Fehlende Atome = Leerstellen.
- Extra Atome, "Eigen" oder fremde Zwischengitteratome
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Beispiel: Leerstelle |
Eindimensionale
Defekte
(oder "Versetzungen", "Liniendefekte") |
Entlang einer Linie (die nicht gerade verlaufen muß, sondern
willkürlich gekrümmt oder in sich geschlossen sein kann) ist die
Symmetrie verletzt.
- Das sind Versetzungen
- Es gibt Versetzungen aller Arten.
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Beispiel: Stufenversetzung |
Zweidimensionale
Defekte
(oder "Flächendefekte") |
Auf einer Fläche (beliebig gekrümmt) ist an jedem
Punkt die Symmetrie verletzt - die Teile rechts und links passen nicht
zusammen. Wir haben
- Korngrenzem,
- Phasengrenzen,
- Stapelfehler.
- Oberfläche
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Beispiel: Korngrenzen |
Dreidimensionale
Defekte
(oder "Volumendefekte")
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In einem beliebigen Volumen liegt an jedem Punkt eine andere Symmetrie
vor als im Wirtskristall.
- Ausscheidungen.
- "Löcher" (= Voids)
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Beispiel:
Ausscheidung im Polykristall |
Beispiel: Void (TEM Bild)
Skala beachten! |
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Das ist ziemlich anschaulich und
nachvollziehbar - die Versetzung vielleicht ausgenommen. |
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Wir schauen uns das gleich noch etwas genauer an,
vorher aber nochmal den Merksatz: |
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- Kristalldefekte bestimmen viele wichtige Eigenschaften.
- Kristalldefekte kann man durch "Prozessieren" leichter
manipulieren als den Kristall
- Viele Eigenschaften werden durch Manipulation der Defekte eingestellt.
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Man kann es gar nicht dramatisch
genug ausdrücken. Ohne Kristallgitterdefekte gäbe es weder Low-Tech
noch High-Tech; nahezu jede (Material) technologie ist im Kern "Defect Engineering", die Manipulation
von Defekten in einem Kristall. |
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Hier noch eine Übersicht von
einigen Kristalldefekten in einem (in der Natur nicht realisierten)
kubisch-primitivem Gitter mit zwei Sorten von Atomen: Leerer Kreis = Basisatom
des Kristalls; schwarzer Kreis = falsches Atom ("Dreck"). |
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Acht Defekttypen sind gezeigt. Es ist eine gute
Idee zu versuchen, diese Defekte anhand des obigen Schemas zu
identifizieren. |
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Wer den
Link
betätigt, lernt darüber hinaus noch, warum es vorteilhaft ist,
Defekte zunächt mal in einem kubisch-primitivem Modellkirstall zu
illustirern, obwohl es sowas gar nicht gibt. |
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© H. Föll (MaWi für ET&T - Script)