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Startpunkt: Alle Halbleiter sind für
IR - Licht durchsichtig. Defekte werden im Durchlicht sichtbar über: |
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Spannungsoptik: Elastische Verspannungen
verschieben die Polarisation von Licht. Die Spannungshöfe um Versetzungen,
siehe Kapitel 5.2.1, (und andere
Defekte) können sichtbar gemacht werden. |
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Absorptionskontrast: Ausscheidungen, z.B., bestehen aus
anderem Material, das evtl. für IR-Licht nicht durchsichtig ist. Sie
werden dann direkt als dunkle Bereiche sichtbar. Dieser Effekt wird genutzt zur
Dekoration von Versetzungen (und anderen Defekten, z.B. Swirls in Silizium).
Man geht wie folgt vor: |
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Dieser Effekt wird genutzt zur Dekoration von
Versetzungen (und anderen Defekten, z.B. Swirls in Silizium). Man geht wie
folgt vor: |
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Ein schell diffundierendes Element (z.B. Li
oder Cu bei Silizium) wird bei hoher Temperatur eindiffundiert |
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Der Abkühlprozeß wird so
geführt, daß das "Dekorationselement" ausschließlich
oder zumindest überwiegend an den Defekten ausscheidet |
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Der Defekt ist jetzt der Beobachtung
zugänglich; allerdings sind seine Dimensionen
"vergrößert" und es ist jetzt ein anderer Defekt! |
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Die IR-Mikroskopie hat
charakteristische Vor- und Nachteile: |
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| Vorteile |
Nachteile |
- Relativ billig
- Teilweise quantitativ (bzgl. Spannungen)
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- Immer sehr gute Oberflächen erforderlich (beidseitig poliert)
- Aufwendige Probenpräparation bei Dekoration
- Häufig nur Anwesenheit der Defekte nachweisbar
- Nur für "mittlere" Defektdichten
- Nicht sehr empfindlich
- Aufwendig bei Dekoration
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Abbildungen mit Beispielen zur IR - Mikroskopie |
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IR -
Bild: 1.Beispiel |
