diffundierendes
Element |
Beschreibung
der Diffusion |
Do
[10-14 m2 s-1] |
Q [eV] |
Referenz |
Si |
DT |
1800 |
4.77 |
Peart, 1966 |
1200 |
4.72 |
Ghostagore, 1966 |
9000 |
5.13 |
Fairfield und Masters, 1967 |
1460 |
5.02 |
Mayer et al., 1977 |
8 |
4.1 |
Hirvonen und Antilla, 1974 |
154 |
4.65 |
Kalinowski und Seguin, 1980 |
20 |
4.4 |
Demond et al.; 1983 |
|
Si |
DICIeq
|
914 |
4.84 |
Stolwijk et al.; 1984 |
320 |
4.80 |
Stolwijk et al.; 1988 |
2000 |
4.94 |
Hauber et al., 1989 |
1400 |
5.01 |
Mantovani et al., 1986 |
|
Si |
DVCVeq
|
0.57 |
4.03 |
Tan und Gösele, 1985 |
10-5 |
0.4 |
Tan und Gösele, 1985 |
|
I |
DI |
3.75 10-9 |
0.13 |
Bronner und Plummer, 1985 |
8.6 10-5 |
4.0 |
Taniguchi et al.; 1983 |
|
V |
DV |
0.1 |
2.0 |
Tan und Gösele, 1985 |
Ge |
DS |
2500 |
4.97 |
Hettich et al.; 1979 |
Sn |
DS |
32 |
4.25 |
Teh et al., 1968 |
CS |
DS |
1.9 |
3.1 |
Newman and Wakefield, 1961 |
Ci |
Di |
4.4 |
0.88 |
Tipping and Newman, 1987 |
O |
Di |
0.07 |
2.44 |
Mikkelsen, 1986 |
Auf D=D0 exp (-Q/kBT) gefittete
Diffusionskonstanten verschiedener Elemente einschließlich
Eigenzwischengitteratomen und Leerstellen in Silizium.
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