| Die
Diplome der Materialwissenschaft
Die Diplome des Jahres 2001
Die Diplome des Jahres 2000
Die Diplome des Jahres 1999
Die Diplome des Jahres 1998
Die Diplome des Jahres 1997
2001
| Nummer |
Name |
Vorname |
Datum
d. Diploms |
Thema |
Betreuer |
derzeitiger
Arbeitgeber |
| 1 |
Balke |
Michael |
13.07.01 |
Untersuchung der
Einsatzmöglichkeiten organischer Resists als Opferschichten
in der Mikrosystemtechnik
|
Faupel |
|
| 2 |
Christiansen |
Sönke |
31.12.01 |
Interdiffusion
und Phasenbildung in metallischen Verbundwerkstoffen
|
Faupel |
|
| 3 |
Hollensteiner |
Stefan |
30.10.01 |
Elektronenmikroskopische
Charakterisierung von Metall-Chalkogenid- Schichtstrukturen
|
Jäger |
|
2000
| Nummer |
Name |
Vorname |
Datum
d. Diploms |
Thema |
Betreuer |
derzeitiger
Arbeitgeber |
| 1 |
Steenblock |
Lars |
09.11.00 |
Möglichkeiten
zum Einsatz von Zeolithen als Katalysatoren für Brennstoffzellen-
Anwendungen |
Weppner |
|
1999
| Nummer |
Name |
Vorname |
Datum
d. Diploms |
Thema |
Betreuer |
derzeitiger
Arbeitgeber |
| 1 |
Hasse |
Gunther |
01.05.99 |
Kennlinien, Transienten-
und Impedanzmessungen am Si-HF-Kontakt |
Föll |
Prof. Föll
/ TF |
| 2 |
Krönke |
Matthias |
30.08.99 |
Abscheidung dicker
polykristalliner Siliziumschichten für die Herstellung
von Trench-IGBTs |
Heuberger/ Föll |
Infineon Technologies,
München |
| 3 |
Hirschberg |
Ralph |
31.12.99 |
Herstellung und
Test von Teflon-Aufdampfschichten als Elektretmaterial |
Faupel |
Prof. Faupel,
TF |
1998
| Nummer |
Name |
Vorname |
Datum
d. Diploms |
Thema |
Betreuer |
derzeitiger
Arbeitgeber |
|
1
|
Kiesbye
|
Heidrun
|
31.03.98
|
Untersuchungen der Grenzfläche Si/Teflon
in Mehrlagenaufbauten
|
Faupel
|
ISiT
|
|
2
|
Christophersen
|
Marc
|
26.11.98
|
Untersuchungen am Bildungsmechanismus und
der morphologischen Struktur von Mahnoporen auf p-und n-Material
bei systematischer Variation der verschiedenen Elektrolytparameter
|
Föll
|
Prof. Föll / TF
|
1997
| Nummer |
Name |
Vorname |
Datum
d. Diploms |
Thema |
Betreuer |
derzeitiger
Arbeitgeber |
|
1
|
Merz
|
Peter
|
16.10.97
|
Charakterisierung von Bor-Phosphor-Silitglas
für PowerMOS- Feldeffekttransistoren
|
Heuberger/ Föll
|
ISiT
|
|
